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半導(dǎo)體電鍋爐原理,半導(dǎo)體電鍋爐原理和構(gòu)造

2024-01-17 14:27:00 鍋爐 0人已圍觀

大家好,今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題,就是關(guān)于半導(dǎo)體電鍋爐原理的問(wèn)題,于是小編就整理了3個(gè)相關(guān)介紹半導(dǎo)體電鍋爐原理的解答,讓我們一起看看吧。

半導(dǎo)體儲(chǔ)存器的工作原理?

存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)(按字節(jié)編址)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào),即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。

半導(dǎo)體電鍋爐原理,半導(dǎo)體電鍋爐原理和構(gòu)造

假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示2的20次方,即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié),則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1MB。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。   按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱RAM)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM)   RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。   ROM 主要用于BIOS存儲(chǔ)器。   按其制造工藝可分為:雙極晶體管存儲(chǔ)器和MOS晶體管存儲(chǔ)器。   按其存儲(chǔ)原理可分為:靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。   其優(yōu)點(diǎn)是:體積小、存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)密度高、與邏輯電路接口容易。   主要用作高速緩沖存儲(chǔ)器、主存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、堆棧存儲(chǔ)器等。

2.半導(dǎo)體光器件的基本原理是什么?

半導(dǎo)體激光器工作原理:

  半導(dǎo)體激光器工作原理是激勵(lì)方式,利用半導(dǎo)體物質(zhì)(既利用電子)在能帶間躍遷發(fā)光,用半導(dǎo)體晶體的解理面形成兩個(gè)平行反射鏡面作為反射鏡,組成諧振腔,使光振蕩、反饋、產(chǎn)生光的輻射放大,輸出激光?!? 

半導(dǎo)體激光器特點(diǎn):半導(dǎo)體激光器激光器優(yōu)點(diǎn)是體積小,重量輕,運(yùn)轉(zhuǎn)可靠,耗電少,效率高等特點(diǎn)。

半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是,通過(guò)一定的激勵(lì)方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價(jià)帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級(jí)之間,實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時(shí),便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。

半導(dǎo)體激光器的激勵(lì)方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵(lì)式。電注入式半導(dǎo)體激光器,一般是由GaAS(砷化鎵),InAS(砷化銦),Insb(銻化銦)等材料制成的半導(dǎo)體面結(jié)型二極管,沿正向偏壓注入電流進(jìn)行激勵(lì),在結(jié)平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射。

光泵式半導(dǎo)體激光器,一般用N型或P型半導(dǎo)體單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物質(zhì),以其他激光器發(fā)出的激光作光泵激勵(lì)。高能電子束激勵(lì)式半導(dǎo)體激光器,一般也是用N型或者P型半導(dǎo)體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質(zhì),通過(guò)由外部注入高能電子束進(jìn)行激勵(lì)。

在半導(dǎo)體激光器件中,目前性能較好,應(yīng)用較廣的是具有雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電注入式GaAs二極管激光器。

半導(dǎo)體加熱原理?

是否是指半導(dǎo)體制冷器(TEC Thermo Electri Cooler) ?它是以帕爾帖效應(yīng)為基礎(chǔ)的一種制冷技術(shù)。它的簡(jiǎn) 單工作原理是:當(dāng)把N型和P型半導(dǎo)體元件聯(lián)結(jié)成電偶對(duì)并在兩塊半導(dǎo)體上通上直流電時(shí),電偶對(duì)的一端就會(huì)吸熱逐漸變冷,這一半導(dǎo)體端叫做冷端;另一端會(huì)放熱變熱,稱為熱端。

是致冷還是加熱,以及致冷、加熱的速率,由通過(guò)它的電流方向和大小來(lái)決定。

機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí),在外電場(chǎng)的作用下,電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí),便會(huì)釋放出多余的能量。反之,電荷載體從低能級(jí)的材料向高能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí),需從外界吸收能量。

到此,以上就是小編對(duì)于半導(dǎo)體電鍋爐原理的問(wèn)題就介紹到這了,希望介紹關(guān)于半導(dǎo)體電鍋爐原理的3點(diǎn)解答對(duì)大家有用。

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